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Portatore di wafer ceramici di carburo di silicio in forma di diamante con elevata conduttività termica e resistenza alle alte temperature a 1400 °C per applicazioni a semiconduttori

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: CN

Marca: Dayoo

Termini di pagamento e di spedizione

Quantità di ordine minimo: Personalizzato

Prezzo: CNY

Imballaggi particolari: Pacchetto

Tempi di consegna: 60 giorni lavorativi

Capacità di alimentazione: Fabbrica

Ottieni il miglior prezzo
Evidenziare:
Alta conduttività termica:
Resistenza agli shock termici:
Bene
Temperatura massima:
1380 ℃
Resistenza alla flessione:
Mpa 280
Purezza:
98%
Resistenza alla compressione:
> 2 GPa
Alta conduttività termica:
Resistenza agli shock termici:
Bene
Temperatura massima:
1380 ℃
Resistenza alla flessione:
Mpa 280
Purezza:
98%
Resistenza alla compressione:
> 2 GPa
Portatore di wafer ceramici di carburo di silicio in forma di diamante con elevata conduttività termica e resistenza alle alte temperature a 1400 °C per applicazioni a semiconduttori

Supporto per wafer in carburo di silicio ceramico cavo a forma di diamante | Piastra di supporto in ceramica SiC cava di precisione

Introduzione al prodotto

Questo prodotto è un Supporto per wafer in carburo di silicio ceramico cavo a forma di diamante, realizzato con materie prime ceramiche di carburo di silicio (SiC) ad alta purezza. Presenta un contorno generale a diamante con una struttura cava anulare radiale multistrato al centro. Fabbricato tramite sinterizzazione ad alta temperatura a pressione atmosferica e lavorazione di precisione, vanta alta densità, struttura leggera ed eccellente conducibilità termica. Il design cavo riduce efficacemente il peso proprio e migliora la circolazione dell'aria. Serve come componente ceramico portante fondamentale per apparecchiature di processo ad alta temperatura.

Applicazioni

Ampiamente adottato nel trattamento termico di wafer di semiconduttori, sinterizzazione di wafer di silicio fotovoltaico, ricottura di componenti ottici, forni sottovuoto ad alta temperatura e altre apparecchiature. Funziona come supporto per wafer, deflettore del flusso d'aria e fissaggio ad alta temperatura, supportando i pezzi mentre garantisce un flusso d'aria e una distribuzione della temperatura uniformi all'interno dei forni.

Vantaggi principali

  • Eccezionale resistenza alle alte temperature: Temperatura di lavoro continua fino a 1400°C, dimensioni stabili ad alta temperatura.
  • Conducibilità termica bilanciata e grande stabilità termica: Elevata conducibilità termica e superiore resistenza agli shock termici, resistente alla fessurazione sotto cicli ripetuti di riscaldamento e raffreddamento.
  • Alta purezza e assenza di contaminazione: Bassa precipitazione di impurità, prevenendo la contaminazione su wafer e componenti di precisione.
  • Struttura cava leggera: Riduce il peso e ottimizza la circolazione dell'aria per un riscaldamento e un raffreddamento più rapidi.

Parametri di specifica

Tabella
Articolo Parametro
Materiale Ceramica di carburo di silicio (SiC) sinterizzata senza pressione
Densità ≥3,10 g/cm³
Resistenza alla flessione ≥350 MPa
Temperatura operativa continua ≤1400°C
Tolleranza dimensionale ±0,02 mm
Porosità <0,5%

Processo di produzione

Miscelazione e granulazione delle materie prime → Stampaggio a secco a forma irregolare → Sinterizzazione ad alta temperatura → Rettifica di precisione della superficie → Fresatura cava CNC → Lucidatura della superficie → Pulizia ad ultrasuoni → Ispezione dimensionale completa → Imballaggio sottovuoto

Istruzioni per l'uso

  1. Bagnare completamente il supporto prima del primo utilizzo per rimuovere le impurità adsorbite.
  2. Maneggiare delicatamente durante il posizionamento dei pezzi per evitare impatti su bordi e angoli.
  3. Controllare la velocità di riscaldamento e raffreddamento per minimizzare severi shock termici.
  4. Pulire regolarmente i sedimenti all'interno delle fessure cave per mantenere un flusso d'aria regolare.

Servizio post-vendita

Personalizzazione di motivi cavi e dimensioni complessive in base a disegni o campioni, servizio di prova prototipo disponibile. Tutti i prodotti sono sottoposti a ispezione completa prima della consegna con rapporti di ispezione forniti. Soluzione post-vendita per difetti di qualità non artificiali. Supporto tecnico professionale per la selezione delle condizioni di lavoro ad alta temperatura.

FAQ

D: Quali sono i vantaggi del supporto in SiC rispetto al supporto in ceramica di allumina?
 
A: Il carburo di silicio offre prestazioni migliori in termini di resistenza alle alte temperature, conducibilità termica e resistenza agli shock termici, il che lo rende più adatto ai processi di trattamento termico con alte temperature sostenute e cicli termici frequenti.
 
D: È possibile modificare il motivo cavo e la dimensione esterna?
 
A: Sì. Il profilo esterno, il layout cavo e lo spessore della piastra possono essere regolati in base alle dimensioni del pezzo.