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Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: CN

Marca: Dayoo

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Prezzo: CNY

Imballaggi particolari: Pacchetto

Tempi di consegna: 60 giorni lavorativi

Capacità di alimentazione: Fabbrica

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Evidenziare:
Alta conduttività termica:
Resistenza agli shock termici:
Bene
Temperatura massima:
1380 ℃
Resistenza alla flessione:
Mpa 280
Purezza:
98%
Resistenza alla compressione:
> 2 GPa
Alta conduttività termica:
Resistenza agli shock termici:
Bene
Temperatura massima:
1380 ℃
Resistenza alla flessione:
Mpa 280
Purezza:
98%
Resistenza alla compressione:
> 2 GPa
Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications
Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier | Precision Hollow SiC Ceramic Support Plate Product Introduction This product is a Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier, manufactured from high-purity silicon carbide (SiC) ceramic raw materials. It features an overall diamond outline with multi-layer annular radial hollow structure in the center. Fabricated via atmospheric pressure high-temperature sintering and precision machining, it boasts