Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Made in China
Marca: Dayoo
Termini di pagamento e di spedizione
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negoziabile
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: Negoziabile
Corrosion Resistance: |
Excellent |
Purity: |
96%,99% |
Shape: |
Customizable |
Precision Tolerance: |
High |
Alumina Content: |
92% & 95% |
Color: |
White |
Low Thermal Expansion: |
Excellent |
Tensile Strength: |
250 MPa |
Electrical Insulation: |
Excellent |
Dielectric Loss: |
0.0002 |
Thermal Shock Resistance: |
Excellent |
Mechanical Strength: |
High |
High Temperature Resistance: |
Yes |
Non-Toxic: |
Yes |
Thermal Conductivity: |
35 W/mK |
Dimensional Tolerance: |
±0.001 mm |
Corrosion Resistance: |
Excellent |
Purity: |
96%,99% |
Shape: |
Customizable |
Precision Tolerance: |
High |
Alumina Content: |
92% & 95% |
Color: |
White |
Low Thermal Expansion: |
Excellent |
Tensile Strength: |
250 MPa |
Electrical Insulation: |
Excellent |
Dielectric Loss: |
0.0002 |
Thermal Shock Resistance: |
Excellent |
Mechanical Strength: |
High |
High Temperature Resistance: |
Yes |
Non-Toxic: |
Yes |
Thermal Conductivity: |
35 W/mK |
Dimensional Tolerance: |
±0.001 mm |
Elevata conducibilità termica, Isolamento superiore, Bassa espansione termica, Resistenza alle alte temperature, Planarità eccezionale
I substrati ceramici in allumina sono piastre di base ceramiche elettroniche prodotte da allumina ad alta purezza (contenuto di Al₂O₃ 96%-99,9%), caratterizzate da eccellenti proprietà isolanti, elevata conducibilità termica e bassa perdita dielettrica. Con superfici lucidate di precisione che raggiungono una rugosità inferiore a Ra 0,1μm, questi substrati sono ideali per applicazioni di fascia alta, inclusi dispositivi elettronici di potenza, packaging LED e moduli a semiconduttore.
Elettronica di potenza: Substrati per moduli IGBT, basi di dissipazione del calore per MOSFET di potenza
Illuminazione a LED: Substrati per l'imballaggio di chip LED ad alta potenza
Semiconduttori: Substrati per circuiti RF/microonde, supporti per dispositivi MEMS
Elettronica automobilistica: Dissipatori di calore per sistemi di controllo elettronico di veicoli a nuova energia
Comunicazioni 5G: Substrati per la dissipazione del calore degli amplificatori di potenza delle stazioni base
✅ Elevata conducibilità termica: 24-30W/(m·K), 10× migliore rispetto ai materiali PCB standard
✅ Isolamento superiore: Resistività volumetrica >10¹⁴Ω·cm
✅ Bassa espansione termica: 7.2×10⁻⁶/℃, eccellente compatibilità con i wafer di silicio
✅ Resistenza alle alte temperature: Funzionamento continuo fino a 850℃
✅ Planarità eccezionale: ≤0,02 mm/50 mm planarità della superficie
Parametro | Standard (96%) | Alta termica (99%) |
---|---|---|
Contenuto di Al₂O₃ | 96% | 99% |
Conducibilità termica | 24W/(m·K) | 30W/(m·K) |
Costante dielettrica | 9.5(1MHz) | 9.2(1MHz) |
Resistenza alla flessione | 300MPa | 350MPa |
Intervallo di spessore | 0,25-5 mm | 0,25-5 mm |
Dimensione massima | 150×150 mm | 150×150 mm |
Preparazione della polvere: Polvere di allumina ad alta purezza (D50≤1μm)
Colata a nastro: Controllo preciso della viscosità e dello spessore della sospensione
Pressatura isostatica: Compattazione ad alta pressione a 200 MPa
Sinterizzazione ad alta temperatura: Sinterizzazione protetta in atmosfera a 1600℃
Lavorazione di precisione: Rettifica a doppia faccia + taglio laser
Trattamento superficiale: Lucidatura chimico-meccanica (CMP)
Ispezione completa: Ispezione ottica automatizzata (AOI)
⚠ Note di installazione:
Temperatura di saldatura consigliata<300℃
Evitare impatti meccanici e concentrazioni di stress localizzate
L'umidità di stoccaggio dovrebbe essere<60% RH
Considerare la corrispondenza CTE durante l'assemblaggio con altri materiali
Si consiglia l'uso di pasta d'argento o saldatura AuSn per il montaggio
Supporto tecnico: Servizi di analisi di simulazione termica
Risposta rapida: Consegna accelerata in 72 ore per dimensioni standard
Personalizzazione: Forme speciali e trattamenti di metallizzazione disponibili
Analisi dei guasti: Dotato di apparecchiature di test SEM+EDS
D: Come selezionare lo spessore del substrato corretto?
R: 0,63 mm consigliati per dispositivi di alimentazione generici, ≥1,0 mm per applicazioni ad alta potenza
D: È possibile il cablaggio multistrato?
R: Sono disponibili soluzioni di substrati co-sinterizzati multistrato LTCC
D: Quali opzioni di metallizzazione esistono?
R: Supporta la stampa a film spesso, lo sputtering a film sottile, DBC e altri processi