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Dayoo Advanced Ceramic Co.,Ltd
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Alta conducibilità termica

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: Made in China

Marca: Dayoo

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Quantità di ordine minimo: Negoziabile

Prezzo: Negoziabile

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Materiale avanzato Alumina ceramica

,

Ceramica di allumina ad alte prestazioni

,

Materiale ceramico di allumina ad alte prestazioni

Corrosion Resistance:
Excellent
Purity:
96%,99%
Shape:
Customizable
Precision Tolerance:
High
Alumina Content:
92% & 95%
Color:
White
Low Thermal Expansion:
Excellent
Tensile Strength:
250 MPa
Electrical Insulation:
Excellent
Dielectric Loss:
0.0002
Thermal Shock Resistance:
Excellent
Mechanical Strength:
High
High Temperature Resistance:
Yes
Non-Toxic:
Yes
Thermal Conductivity:
35 W/mK
Dimensional Tolerance:
±0.001 mm
Corrosion Resistance:
Excellent
Purity:
96%,99%
Shape:
Customizable
Precision Tolerance:
High
Alumina Content:
92% & 95%
Color:
White
Low Thermal Expansion:
Excellent
Tensile Strength:
250 MPa
Electrical Insulation:
Excellent
Dielectric Loss:
0.0002
Thermal Shock Resistance:
Excellent
Mechanical Strength:
High
High Temperature Resistance:
Yes
Non-Toxic:
Yes
Thermal Conductivity:
35 W/mK
Dimensional Tolerance:
±0.001 mm
Alta conducibilità termica

Elevata conducibilità termica, Isolamento superiore, Bassa espansione termica, Resistenza alle alte temperature, Planarità eccezionale

 

Introduzione al prodotto

I substrati ceramici in allumina sono piastre di base ceramiche elettroniche prodotte da allumina ad alta purezza (contenuto di Al₂O₃ 96%-99,9%), caratterizzate da eccellenti proprietà isolanti, elevata conducibilità termica e bassa perdita dielettrica. Con superfici lucidate di precisione che raggiungono una rugosità inferiore a Ra 0,1μm, questi substrati sono ideali per applicazioni di fascia alta, inclusi dispositivi elettronici di potenza, packaging LED e moduli a semiconduttore.

Applicazioni principali

  • Elettronica di potenza: Substrati per moduli IGBT, basi di dissipazione del calore per MOSFET di potenza

  • Illuminazione a LED: Substrati per l'imballaggio di chip LED ad alta potenza

  • Semiconduttori: Substrati per circuiti RF/microonde, supporti per dispositivi MEMS

  • Elettronica automobilistica: Dissipatori di calore per sistemi di controllo elettronico di veicoli a nuova energia

  • Comunicazioni 5G: Substrati per la dissipazione del calore degli amplificatori di potenza delle stazioni base

Vantaggi principali

Elevata conducibilità termica: 24-30W/(m·K), 10× migliore rispetto ai materiali PCB standard
Isolamento superiore: Resistività volumetrica >10¹⁴Ω·cm
Bassa espansione termica: 7.2×10⁻⁶/℃, eccellente compatibilità con i wafer di silicio
Resistenza alle alte temperature: Funzionamento continuo fino a 850℃
Planarità eccezionale: ≤0,02 mm/50 mm planarità della superficie

Specifiche tecniche

Parametro Standard (96%) Alta termica (99%)
Contenuto di Al₂O₃ 96% 99%
Conducibilità termica 24W/(m·K) 30W/(m·K)
Costante dielettrica 9.5(1MHz) 9.2(1MHz)
Resistenza alla flessione 300MPa 350MPa
Intervallo di spessore 0,25-5 mm 0,25-5 mm
Dimensione massima 150×150 mm 150×150 mm

Processo di fabbricazione

  1. Preparazione della polvere: Polvere di allumina ad alta purezza (D50≤1μm)

  2. Colata a nastro: Controllo preciso della viscosità e dello spessore della sospensione

  3. Pressatura isostatica: Compattazione ad alta pressione a 200 MPa

  4. Sinterizzazione ad alta temperatura: Sinterizzazione protetta in atmosfera a 1600℃

  5. Lavorazione di precisione: Rettifica a doppia faccia + taglio laser

  6. Trattamento superficiale: Lucidatura chimico-meccanica (CMP)

  7. Ispezione completa: Ispezione ottica automatizzata (AOI)

Linee guida per l'uso

Note di installazione:

  • Temperatura di saldatura consigliata<300℃

  • Evitare impatti meccanici e concentrazioni di stress localizzate

  • L'umidità di stoccaggio dovrebbe essere<60% RH

  • Considerare la corrispondenza CTE durante l'assemblaggio con altri materiali

  • Si consiglia l'uso di pasta d'argento o saldatura AuSn per il montaggio

Impegno di servizio

  • Supporto tecnico: Servizi di analisi di simulazione termica

  • Risposta rapida: Consegna accelerata in 72 ore per dimensioni standard

  • Personalizzazione: Forme speciali e trattamenti di metallizzazione disponibili

  • Analisi dei guasti: Dotato di apparecchiature di test SEM+EDS

FAQ tecniche

D: Come selezionare lo spessore del substrato corretto?
R: 0,63 mm consigliati per dispositivi di alimentazione generici, ≥1,0 mm per applicazioni ad alta potenza

D: È possibile il cablaggio multistrato?
R: Sono disponibili soluzioni di substrati co-sinterizzati multistrato LTCC

D: Quali opzioni di metallizzazione esistono?
R: Supporta la stampa a film spesso, lo sputtering a film sottile, DBC e altri processi

 

 

Alta conducibilità termica 0