Prestazioni di isolamento Base ceramica di allumina per apparecchiature di misurazione di precisione e ispezione industriale

Prestazioni di isolamento Base ceramica di allumina per apparecchiature di misurazione di precisione e ispezione industriale

Queste basi di supporto in ceramica di allumina sono fabbricate utilizzando materiale Al2O3 ad alta purezza del 99,6%, specificamente progettato per apparecchiature di misurazione per semiconduttori, ottici e di precisione.di larghezza inferiore o uguale a 1 mm.01 mm/m e un coefficiente di espansione termica di 7,2 × 10−6/°C, i prodotti mantengono una stabilità dimensionale eccezionale a temperature estreme (-60°C~1500°C) e in ambienti vuoti (≤10−8Pa).

Campo di applicazione principale

• Apparecchiature per semiconduttori: Wafer stage per litografia, basi per le camere dei reattori di incisione

• Ottica di precisione: piattaforme di riferimento per interferometri laser, supporti per specchi per telescopi spaziali

• Strumenti analitici: Stadio di campionamento al microscopio elettronico, supporti per sorgenti ioniche dello spettrometro di massa

• Ispezione industriale: base della macchina CMM, giradischi per la prova della rotondità

• Nuova energia: supporti per pile a combustibile, supporti per apparecchiature di rivestimento fotovoltaici

Matrice dei vantaggi di prestazione

Specifiche tecniche

Processo di produzione di precisione

1. Trasformazione della polvere: polvere di alta purezza da 0,1 μm con granulazione a spruzzo

2. Processo di formazione: Pressa isostatica (300MPa) combinata con lavorazione a controllo automatico

3. Tecnologia di sinterizzazione: sinterizzazione a gradiente a 1700°C in atmosfera di idrogeno

4. Macchinari di precisione:

   • di larghezza superiore a 50 mm ma non superiore a 150 mm

   • Polizione magnetoreologica (precisione della superficie λ/20@632,8 nm)

5. Trattamento in camera pulita: assemblaggio completato in sala pulita di classe 100

6. Ispezione completa: Interferometro laser + CMM controllo dimensionale completo

Linee guida per l'installazione

• Requisiti di installazione:
  ✓ Utilizzare una chiave di coppia (valore raccomandato 1,5±0,2N·m)
  ✓ Utilizzare attrezzi dedicati alle stanze pulite
  ✓ Preadeguamento raccomandato per la corrispondenza termica (gradiente di temperatura < 2°C/min)

• Limitazioni ambientali:
  Evitare il contatto con acido fluoridrico
  Evitare shock termici > 200°C/min
  Non adatto ad ambienti di ossidazione continua > 1600°C

Impegno di servizio

• Supporto tecnico: Analisi di stress gratuita FEA

• Risposta rapidaServizio accelerato di 72 ore

• Gestione della tracciabilità: record di produzione completi decennali

• Supporto alla certificazione: documenti di certificazione SEMI/FDA/ISO forniti

Domande frequenti

D: Come garantire la corrispondenza termica con i componenti in carburo di silicio?
A: Disponibile il progetto di transizione del gradiente CTE (regolabile a 7,2-4,5×10−6/°C)

D: Dimensioni massime di elaborazione?
A: limite tecnico attuale 500×500×100 mm (richiede attrezzature speciali)

D: La modifica del conduttore è supportata?
A: versioni antistatiche personalizzabili con resistenza superficiale 104-1010Ω

D: Come si garantisce la pulizia a livello di wafer?
A: Sterilizzazione finale con VHP (perossido di idrogeno vaporizzato)