Ceramica di allumina di alta purezza con resistenza al volume di 104 Ohm*cm per applicazioni nei semiconduttori

Ceramica di allumina di alta purezza con resistenza al volume di 104 Ohm*cm per applicazioni nei semiconduttori

Questa serie di componenti ceramici in allumina specifici per semiconduttori è prodotta utilizzando materiale Al2O3 di ultraalta purezza al 99,6% attraverso processi di fusione di nastro di precisione e sinterizzazione ad alta temperatura.I prodotti presentano un ottimo isolamento, resistenza alla corrosione e stabilità dimensionale, soddisfacendo i requisiti di pulizia della norma SEMI F47.

Applicazioni primarie dei semiconduttori

• Fabbricazione di wafer: parti in ceramica di macchine da incisione, vasche di diffusione

• Imballaggio e collaudo: substrati di schede di prova, prese di prova

• Componenti dell'apparecchiatura: effettivi terminali per robot

• Sistemi a vuoto: basi di scarico elettrostatiche

• Ispezione ottica: guide ceramiche per macchine per litografia

Vantaggi del prodotto

✓ Ultra-pulita: contenuto di ioni metallici < 0,1 ppm
✓ Dimensioni di precisione: Tolleranza ± 0,05 mm/100 mm
✓ Resistenza al plasma: velocità di incisione < 0,1 μm/h
✓ Basso rilascio di gas: TML<0,1% CVCM<0,01%
✓ Alta affidabilità: supera 1000 cicli termici

Specifiche tecniche

Processo di produzione dei semiconduttori

1. Preparazione del materiale:

   • Polvere di Al2O3 di nano grado (D50≤0,5μm)

   • Fresatura a sfere ad alta purezza (aiuti alla sinterizzazione Y2O3-MgO)

2. Processo di moltiplicazione:

   • Fusione di nastri (spessore da 0,1 mm a 5 mm)

   • Pressione isostatica (200MPa)

3. Controllo della sinterizzazione:

   • Sinterizzazione in atmosfera in più fasi (1600°C/H2)

   • Post-trattamento HIP (1500°C/150MPa)

4. Macchine di precisione:

   • Processamento laser (± 5 μm)

   • Perforazione ad ultrasuoni (ratio di aspetto 10:1)

5. Pulizia e controllo:

   • Pulizia megasonica (stanza pulita di classe 1)

   • Prova di particolato SEMI F47

Linee guida per l'uso

️ Immagazzinamento: imballaggio pulito di classe 100
️ Ambiente di installazione: 23±1°C RH45±5%
️ Pulizia: solo solventi per semiconduttori
️ Manipolazione: evitare il contatto diretto con le superfici funzionali

Servizi di semiconduttori

• Verifica della pulizia: rapporti di prova VDA19

• Analisi dei guasti: microanalisi SEM/EDS

• Sviluppo su misura: co-progettazione DFM

Domande frequenti

D: Come garantire la pulizia della superficie di contatto del wafer?
A: Triplice protezione:
1 Attivazione della superficie plasmatica
2 Imballaggio sotto vuoto + immagazzinamento di N2
3 Pulizia dell'aria ionizzata prima dell'installazione

D: Performance nel plasma a base di fluoro?
A: Versione trattata in modo speciale:
• velocità di incisione < 0,05 μm/h
• Strato di passivazione AlF3
• 3 volte più lunga durata

D: Dimensione massima di elaborazione?
R: 200×200 mm standard, processo speciale fino a 400×400 mm.