Ceramica di allumina di alta purezza con resistenza al volume di 104 Ohm*cm per applicazioni nei semiconduttori

Ceramica di Allumina ad Alta Purezza con Resistività Volumica di 10⁴ Ohm*cm per Applicazioni Semiconduttori

Questa serie di componenti ceramici in allumina specifici per semiconduttori è prodotta utilizzando materiale Al₂O₃ ultra-puro al 99,6% attraverso processi di colata a nastro di precisione e sinterizzazione ad alta temperatura. I prodotti presentano un eccellente isolamento, resistenza alla corrosione e stabilità dimensionale, soddisfacendo i requisiti di pulizia SEMI Standard F47.

Principali Applicazioni nei Semiconduttori

• Fabbricazione di wafer: parti ceramiche per macchine di incisione, barche di diffusione

• Packaging e test: substrati per schede sonda, zoccoli di test

• Componenti di apparecchiature: effettori finali per robot

• Sistemi a vuoto: basi per mandrini elettrostatici

• Ispezione ottica: guide ceramiche per macchine di litografia

Vantaggi del Prodotto

✓ Ultra-pulito: contenuto di ioni metallici <0.1ppm
✓ Dimensioni di precisione: Tolleranza ±0,05 mm/100 mm
✓ Resistenza al plasma: Velocità di incisione <0,1μm/h
✓ Basso degassamento: TML<0,1% CVCM<0,01%
✓ Alta affidabilità: Supera 1000 cicli termici

Specifiche Tecniche

Processo di Produzione dei Semiconduttori

1. Preparazione del materiale:

   • Polvere di Al₂O₃ di grado nano (D50≤0,5μm)

   • Macinazione a sfere ad alta purezza (aiuti alla sinterizzazione Y₂O₃-MgO)

2. Processo di formatura:

   • Colata a nastro (spessore 0,1-5 mm)

   • Pressatura isostatica (200 MPa)

3. Controllo della sinterizzazione:

   • Sinterizzazione in atmosfera multistadio (1600°C/H₂)

   • Post-trattamento HIP (1500°C/150MPa)

4. Lavorazione di precisione:

   • Lavorazione laser (±5μm)

   • Foratura a ultrasuoni (rapporto di aspetto 10:1)

5. Pulizia e ispezione:

   • Pulizia megasonica (camera bianca di Classe 1)

   • Test delle particelle SEMI F47

Linee Guida per l'Utilizzo

⚠️ Stoccaggio: Imballaggio pulito di Classe 100
⚠️ Ambiente di installazione: 23±1°C UR45±5%
⚠️ Pulizia: Solo solventi di grado semiconduttore
⚠️ Manipolazione: Evitare il contatto diretto con le superfici funzionali

Servizi per Semiconduttori

• Verifica della pulizia: Rapporti di test VDA19

• Analisi dei guasti: Microanalisi SEM/EDS

• Sviluppo personalizzato: Co-design DFM

FAQ

D: Come garantire la pulizia della superficie di contatto del wafer?
R: Tripla protezione:
① Attivazione della superficie al plasma
② Confezionamento sottovuoto + stoccaggio N₂
③ Pulizia ad aria ionizzata pre-installazione

D: Prestazioni in plasma a base di fluoro?
R: Versione trattata speciale:
• Velocità di incisione <0,05μm/h
• Strato di passivazione AlF₃
• Durata 3 volte superiore

D: Dimensione massima processabile?
R: Standard 200×200 mm, processo speciale fino a 400×400 mm.